半導体デバイス上の金属相互接続を電解研磨する方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-559587
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520850
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】電解液(34)と、研磨レセプタクル(100)と、ウエハチャック(29)と、液体の入口(5,7,9)と、少なくとも1つのカソード(1,2,3)とを備え、ウエハ(31)上に形成されたメタル層を電解研磨する装置である。ウエハチャック(29)は、研磨レセプタクル(100)内でウエハ(31)を保持及び位置させる。電解液(34)は、液体の入口(5,7,9)を通して研磨レセプタクル(100)に供給される。カソード(1,2,3)は、ウエハ(31)を電解研磨するように、電解研磨電流を電解液に印加する。本発明の1つの態様によれば、ウエハ(31)の個別の部分は、電解研磨されたウエハの一様性を向上するように電解研磨できるようになっている。

請求項（抜粋）：

ウエハ上に形成されたメタル層を電解研磨する方法であって、前記ウエハの第1の部分上に電解液を当てるステップと、前記電解液に研磨電流を印加して、前記ウエハの前記第1の部分から前記メタル層を電解研磨するステップと、前記ウエハの少なくとも第2の部分上に前記電解液を当てるステップと、前記電解液に前記研磨電流を印加して、前記ウエハの前記少なくとも第2の部分から前記メタル層を電解研磨するステップとを備える方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , C25F 3/22 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , B23H 5/08

FI (5件)：

C25F 3/22 , H01L 21/304 621 B , H01L 21/304 622 X , B23H 5/08 , H01L 21/88 K

Fターム (49件)：

3C059AA02 , 3C059AB01 , 3C059AB08 , 3C059CF01 , 3C059CG03 , 3C059CG04 , 3C059CG09 , 3C059EA02 , 3C059EC02 , 3C059ED04 , 3C059GA08 , 3C059GB03 , 3C059HA01 , 3C059HA06 , 5F033GG02 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ46 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033SS08 , 5F033SS10 , 5F033SS11 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033WW08 , 5F033XX01

引用特許：

審査官引用 (10件)

特表平4-507326
特開昭48-045178
特開昭58-046643

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