特許

J-GLOBAL ID：200903008619382460

成膜方法及び装置

発明者： 塚本 俊之 ,  漆崎 清也
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-318051
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134503
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 基体上にSiON膜を確実に形成でき、その成膜工程を簡略化できると共に、その際に基体に付与される熱負荷の増大を十分に抑制可能な成膜装置及び方法を提供する。【解決手段】 成膜装置100は、SiウェハWaが収容されるチャンバ2を有する熱処理部1に、活性種生成部30を介して原料ガス供給系40が接続されたものである。原料ガス供給系40は、N2Oガス及びHeガスの各ガス源41,42を有している。これらの原料ガスは、活性種生成部30のアプリケータ31内の空間Scに導入され、マイクロ波が照射される。これにより、プラズマが形成されてN2Oガスが励起叉は解離され、窒素活性種及び酸素活性種を含む反応ガスXが生成される。この反応ガスXは、チャンバ2内の空間Sbに供給され、SiウェハWa上のSiと反応し、SiON膜が形成される。

請求項（抜粋）：

ケイ素原子を含む基体上に、ケイ素原子、酸素原子及び窒素原子を含む化合物から成る膜を形成せしめる成膜方法であって、窒素原子及び酸素原子を含む化学種の活性種、叉は、該化学種由来の活性種を前記基体上に供給する活性種供給工程を備える、ことを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/24

FI (6件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/511 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/31 A ,  H05H 1/24

Fターム (38件)：

4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA02 ,  4K030JA06 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F045AA09 ,  5F045AA16 ,  5F045AB34 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB10 ,  5F045DP04 ,  5F045EB13 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045EH18 ,  5F045EK12 ,  5F045EM02 ,  5F045EM07 ,  5F045EM10 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BF72 ,  5F058BJ01