特許

J-GLOBAL ID：200903008622232037

窒化シリコン膜の成膜方法

発明者： 東 俊明
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355636
公開番号（公開出願番号）：特開平5-171443
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：

【要約】【目的】比較的高い温度でも薄膜素子のしきい値電圧のシフト量を小さくしてその信頼性を向上させることができる窒化シリコン膜を成膜する。【構成】プラズマCVD装置により、Si H4 に対するNH3 の流量比を2以上10以下、Si H4 に対するN2 の流量比を13以上17以下に制御して窒化シリコン膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD装置による窒化シリコン膜の成膜において、プロセスガスとしてモノシランとアンモニアと窒素を用い、モノシランに対するアンモニアの流量比を2以上10以下、モノシランに対する窒素の流量比を13以上17以下に制御して成膜することを特徴とする窒化シリコン膜の成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/32 ,  H01L 21/318

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-115561
  
• 特開昭63-132433