特許
J-GLOBAL ID：200903008623385333
マイクロストリップ線路の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004097
公開番号（公開出願番号）：特開平5-191121
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 マイクロストリップ線路をきわめて単純な工程で形成する。【構成】 誘電体基板10,12,14上に酸化物超電導体20,22,24を積層した物体を3個(A)の(a),(b),(c)作り、そのうちの1個(b)についてマイクロストリップ導体となる個所22Sのみを残して、他の個所をエッチング除去する。この物体を真ん中に挟み、(C)の(a),(b),(c)のように上下を残る2個の物体によって挟むと、誘電体基板12上に、中央にマイクロストリップ導体22Sを配し、その上下を誘電体基板10,12が挟み、さらにその上下を接地導体20,24が挟むマイクロストリップ線路が容易に形成される。
請求項（抜粋）：
マイクロストリップ導体と接地導体と誘電体基板とによって構成されるマイクロストリップ線路の形成方法において、誘電体基板上に酸化物超電導体薄膜を形成した物体を3個製造し、そのうちの1個については、酸化物超電導体薄膜をマイクロストリップ導体となる部分のみを残して、他の部分をエッチング除去し、これを他の2個によって上下から挟んで結合させて、最上層から下方に向かって、酸化物超電導体薄膜、誘電体基板、マイクロストリップ導体、誘電体基板、酸化物超電導体薄膜、誘電体基板の順に組み合わせた構造にすることを特徴とするマイクロストリップ線路の形成方法。
IPC (2件)：
H01P 11/00 ZAA
, H01P 3/08 ZAA
