特許

J-GLOBAL ID：200903008623508087

酸化物焼結体

発明者： 水沼 昌平 ,  岸 俊人
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043695
公開番号（公開出願番号）：特開平8-246140
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月24日
要約：

【要約】【構成】 インジウム、錫および酸素を主成分とし、焼結体の組織が、錫原子を2%以上固溶している酸化インジウム相と、錫原子を20〜40%含む酸化インジウム・酸化錫化合物相とから構成されている酸化物焼結体。【効果】 本発明のITOターゲットを用いてスパッタリングを行うと、成膜時に異常放電が少ないため、膜欠陥を生じることなくまたTFTやMIM等の基板上の素子を破壊せずにITO膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

インジウム、錫および酸素を主成分とし、焼結体の組織が、錫原子を2%以上固溶している酸化インジウム相と、錫原子を20〜40%含む酸化インジウム・酸化錫化合物相とから構成されていることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C01G 19/00 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/457 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C01G 19/00 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/00 R