特許
J-GLOBAL ID：200903008624703851
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131705
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342860
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目的】樹脂封止を多層化して放熱性を高め信頼性を向上させる。【構成】放熱板8に固定された半導体素子1をリードフレーム4にボンディングワイヤ2で接続する。その後、樹脂封止を複数層に分けて行なう。内層は半導体素子1およびボンディングワイヤ2を覆うように充填材を含まない絶縁性の封止樹脂9で封止する。外層は高熱伝導性の充填材10が大量に含まれる封止樹脂11で封止する。これにより、放熱板の小型化が図れ、リードフレームの変形や、放熱板と封止樹脂との熱膨張係数の違いにより発生するパッケージクラック等の発生がなくなる。
請求項（抜粋）：
リードフレームに接続した半導体素子を樹脂封止した半導体装置において、内外複数の樹脂封止層を有し、半導体素子およびリードフレームとの接続部を覆う内層は充填材を含まないか、含んでいても少量である絶縁性の樹脂で構成され、外層は高熱伝導性の充填材を含む樹脂で構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/50
, H01L 23/34
