特許

J-GLOBAL ID：200903008628082410

半導体装置

発明者： 竹内 幹 ,  中込 儀延 ,  青木 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228303
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076582
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、電界効果トランジスタのしきい電圧の変化を利用した不揮発性メモリにおいて、しきい電圧変化量が十数mVで安定な読み出しができるメモリセルを提供するものであり、ニューラルネットワークへの適用など、応用範囲の広い不揮発性メモリを実現する。【構成】 フリップフロップ型のメモリセルを構成する対をなす電界効果トランジスタのしきい電圧を変化させることで情報の記憶を行う。【効果】 しきい電圧変化量は十数mVで良いので、通常のMOSトランジスタのゲート酸化膜へのホットキャリアの注入で記憶が行える。したがって、製造が簡単で且つ揮発性メモリやマイクロプロセッサと同じチップ内に形成することも容易なので、応用範囲の広い不揮発性メモリが得られる。あるいは、フローティングゲートを持つトランジスタ対を用いれば、書込み時間が高速の不揮発性メモリが得られる。

請求項（抜粋）：

フリップフロップ型のメモリセルを有する半導体装置において、上記メモリセルはしきい値が電気的に可変である同じ導電型の第1と第2のトランジスタを有し、上記第1と第2のトランジスタのしきい電圧を変化させることにより記憶を行うことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 14/00 ,  G11C 17/08 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C 11/40 101 ,  G11C 17/00 301 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371