特許
J-GLOBAL ID：200903008632664199
半導体熱電材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石川 英毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348759
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186615
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 スクッテルダイト系化合物であってその熱伝導率の著しく小さい材料を創出し、かつこの材料の伝導型とキャリア密度を制御して、実用的に満足しうる熱電性能を有する熱電材料を提供する。【解決手段】 スクッテルダイト型結晶構造を有する三元系化合物CoA1.5Te1.5(元素AはGe又はSn)の構成元素Co、A又はTeの一部を、価電子数の異なる特定の元素で置換した置換型化合物からなり、置換元素の元素比が0.001超0.1未満である半導体熱電材料。
請求項（抜粋）：
スクッテルダイト型結晶構造を有する三元系化合物CoA<SB>1.5</SB>Te<SB>1.5</SB>(ここで、元素AはGe又はSn)の構成元素Coの一部を置換した置換型化合物Co<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>A<SB>1.5</SB>Te<SB>1.5</SB>(ここで、置換元素MはFe,Ru,Os,Ni,Pd及びPtのうちの一種以上で、0.001<x<0.1)、前記三元系化合物の構成元素Aの一部を置換した置換型化合物CoA<SB>1.5-y</SB>Q<SB>y</SB>Te<SB>1.5</SB>(ここで、置換元素QはB,Al,Ga,In,P,As,Sb,Bi及びTeのうちの一種以上で、0.001<y<0.1)又は前記三元系化合物の構成元素Teの一部を置換した置換型化合物CoA<SB>1.5</SB>Te<SB>1.5-z</SB>R<SB>z</SB>(ここで、置換元素RはP,As,Sb,Bi,Cl,Br,I,Ge及びSnのうちの一種以上で、0.001<z<0.1)からなる半導体熱電材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 35/16
, C22C 19/07 M
