特許

J-GLOBAL ID：200903008636635401

ガスセンサの製造方法

発明者： 窪田 一成
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297511
公開番号（公開出願番号）：特開平5-133923
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：

【要約】【目的】酸化スズ酸化物半導体にパラジウムを担持し一酸化炭素ガスに対する感度に優れるガスセンサを得る。【構成】酸化スズを塩化アンモニム水溶液中に浸漬し次いで塩化パラジウム水溶液中に浸漬し焼成する。

請求項（抜粋）：

第一の工程と第二の工程を有し、第一の工程は酸化スズを塩化アンモニウムの溶液に浸漬してパラジウム置換の前駆体を形成する工程であり、第二の工程は前記前駆体を塩化パラジウム溶液に浸漬し次いで焼成する工程であることを特徴とするガスセンサの製造方法。