特許

J-GLOBAL ID：200903008636735376

化合物半導体電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： 笠井 信之 ,  吉田 直人 ,  谷野 憲之
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007685
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204544
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ゲート電極長の短縮を行わずに実効ゲート長の短縮を図るとともに、相互コンダクタンスの向上を図った化合物半導体電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 n型チャネル領域3のソース電極7側に空乏層を伸ばして、チャネル領域3の電子の移動を制御することにより、実効ゲート長を短縮しながらチャネル領域内での電子の滞留を防止する。

請求項（抜粋）：

導電性領域上にソース電極、ドレイン電極及びこれらの電極間にゲート電極が形成され、該ゲート電極直下の該導電性領域をチャネル領域としてなる化合物半導体電界効果トランジスタにおいて、上記ゲート電極から上記チャネル領域に伸びる空乏層が、チャネル領域の略中央よりソース電極側のソース側チャネル領域においてのみ、チャネル領域を遮断することを特徴とする化合物半導体電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H