特許

J-GLOBAL ID：200903008642946095

導電性反射防止膜

発明者： 三和 義治 ,  金井 敏正 ,  今村 努
出願人/特許権者： 日本電気硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-027526
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228159
出願日： 1999年02月04日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、膜総数が3層であっても、反射低減、帯電防止、電磁波遮蔽について優れた能力を有し、しかも耐熱性に優れ、陰極線管の輝度が低下したり、画像が二重に見えることもない導電性反射防止膜を提供することである。【構成】 基体側から順に第1、第2、第3の層と呼ぶ時、第1の層は、シリコンの酸窒化物からなり、屈折率が1.55〜1.95で、30〜150nmの幾何学的厚みを有し、第2の層は、酸化スズ、酸化チタン、インジウム酸化物の少なくとも一種からなり、屈折率が1.95〜2.45で、30〜1500nmの幾何学的厚みを有し、第30の層は、シリコンの酸化物の層からなり、70〜120nmの幾何学的厚みを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基体上に形成される3つの層を含み、基体側から順に第1、第2、第3の層と呼ぶ時、第1の層は、シリコンの酸窒化物からなり、屈折率が1.55〜1.95で、30〜150nmの幾何学的厚みを有し、第2の層は、酸化スズ、酸化チタン、インジウム酸化物の少なくとも一種を含からなり、屈折率が1.95〜2.45で、30〜1500nmの幾何学的厚みを有し、第3の層は、シリコンの酸化物の層からなり、70〜120nmの幾何学的厚みを有することを特徴とする導電性反射防止膜。

IPC (3件)：

H01J 29/88 ,  G02B 1/11 ,  G02B 1/10

FI (3件)：

H01J 29/88 ,  G02B 1/10 A ,  G02B 1/10 Z

Fターム (12件)：

2K009AA06 ,  2K009BB02 ,  2K009CC02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  2K009EE03 ,  5C032AA02 ,  5C032DD02 ,  5C032DE01 ,  5C032DE03 ,  5C032DG01 ,  5C032DG02