特許
J-GLOBAL ID：200903008651189418
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184689
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022174
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 逆回復電流が小さく、逆回復時の電力損失が小さい高耐圧高速ダイオードを安価に提供すること。【解決手段】 第1導電型半導体基板1の一方の表面に第2導電型高濃度不純物層2が形成され、他方の表面に第1導電型高濃度不純物層4が形成されている半導体装置の製造方法であって、前記第1導電型高濃度不純物層4が形成されている表面側から前記第2導電型高濃度不純物層2と前記第1導電型半導体基板1とで形成される接合に対して荷電粒子照射を行い、前記第2導電型高濃度不純物層2が形成されている表面側から前記第1導電型不純物層4と前記第1導電型半導体基板1とで形成される領域近傍に対して荷電粒子照射を行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の一方の表面に第2導電型高濃度不純物層が形成され、他方の表面に第1導電型高濃度不純物層が形成されている半導体装置の製造方法であって、前記第1導電型高濃度不純物層が形成されている表面側から前記第2導電型高濃度不純物層と前記第1導電型半導体基板とで形成される接合に対して荷電粒子照射を行い、前記第2導電型高濃度不純物層が形成されている表面側から前記第1導電型不純物層と前記第1導電型半導体基板とで形成される領域近傍に対して荷電粒子照射を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/861
, H01L 21/322
H01L 29/91 J
, H01L 21/322 L
