半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066358
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261588
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】半導体層と、半導体と金属のとの金属化合物層との接合界面に発生する結晶欠陥、およびエピタキシャル層とその形成基板との接合界面に発生する結晶欠陥を低減して、電気的特性を向上した半導体装置を提供する。【解決手段】 P型ウエル層50の表面内には、独立して平行に形成された1対のソース・ドレイン層52が形成され、当該ソース・ドレイン層52の上部にはそれぞれ金属シリサイド層8が形成されている。そして、ソース・ドレイン層52と金属シリサイド層8との接合界面近傍には窒素含有領域9が形成されている。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する半導体層と、該半導体層を構成する半導体元素と金属元素との金属化合物層とが接合する構造を有し、前記半導体層と前記金属化合物層との接合界面近傍に、前記半導体元素よりも結合半径が小さく、その存在によって前記半導体層の電気的特性を劣化させない性質を有する第1元素が導入された第1元素含有領域を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 301 Y

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