特許

J-GLOBAL ID：200903008659201026

配向膜の配向処理方法

発明者： 江原 泰蔵 ,  中林 聖裕 ,  浅儀 典生 ,  桑原 創
出願人/特許権者： 株式会社イー・エッチ・シー ,  日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-334768
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 ラビング処理を施しにくい配向膜においても、高い配向性を得ることができる配向処理方法を提供する。【構成】 まず、ガラス基板4上に形成された配向膜6に対して、真空中でイオンビーム14を、配向膜表面に対して斜め上方から、即ち照射角度θを鋭角にして照射する。その後、同配向膜6の表面を、ラビング材を用いて、先のイオンビーム照射方向とほぼ同一方向にラビングする。また、イオンビーム照射とラビングの順序を上記とは逆にしても良い。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されていて液晶分子を配向させるためのものであって高分子有機材料から成る配向膜に対して真空中でイオンビームを、配向膜表面に対して斜め上方から照射し、その後同配向膜の表面をラビング材を用いて、先のイオンビーム照射方向とほぼ同一方向にラビングすることを特徴とする配向膜の配向処理方法。

IPC (2件)：

G02F 1/1337 500 ,  G02F 1/1337 520

FI (2件)：

G02F 1/1337 500 ,  G02F 1/1337 520