特許

J-GLOBAL ID：200903008660397350

電子ビーム描画方法および描画装置およびこれを用いた半導体集積回路

発明者： 太田 洋也 ,  小川 太郎 ,  中山 義則 ,  斉藤 徳郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045814
公開番号（公開出願番号）：特開平9-245716
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】被描画物であるレジストから脱離した物質は、電子ビーム通路や絞りなどを汚す原因となる。この汚れを常に清浄しながら描画を行い、クリーニングに要する時間をなくすることを目的とする。【解決手段】電子ビーム描画において、対物レンズ11と試料12の間からガス導入管14により6フッ化硫黄や酸素などのガスを導入する。このガスは、電子ビーム2と衝突しそのエネルギーによりラジカルやイオンとなる。これらのラジカルやイオンが主に炭化水素系の物質であるレジストからの脱離物と反応して、揮発物となり排気される。また、偏向器10や対物レンズ内壁15の堆積物にラジカルやイオンが到達し、同じ反応で揮発物となり排気される。【効果】電子光学系内に特定のガスを導入し、描画用の電子ビームのエネルギーでイオンやラジカルなどの活性種を発生させ、電子ビームの通路内を常に清浄しながら描画を行う。この結果、描画パターンの質の低下をなくし、予測できない電子ビームの位置変動を減少させることにより、高精度かつ高速に描画を行うことができる。

請求項（抜粋）：

電子光学系内に電子ビームを放射する電子源と前記電子ビームを加速する手段と前記電子ビームの形状を決定する絞りと前記電子ビームを収束する電子レンズとを具備して行う電子ビーム描画方法において、前記電子光学系の前記電子ビームの通路内に特定のガスを導入し前記電子ビームを加速する手段により加速された前記電子ビームのエネルギーを用いて前記ガスのイオンやラジカルを発生し前記電子ビームの通路内を常に清浄しながら描画を行うことを特徴とする電子ビーム描画方法。

IPC (3件)：

H01J 37/305 ,  H01J 37/20 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01J 37/305 B ,  H01J 37/20 G ,  H01L 21/30 541 J