特許
J-GLOBAL ID：200903008660540861
薄膜気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243329
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125670
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 コンパクトな構成で、各処理工程室の独立性を維持しつつ迅速な基板搬送を行い、稼働効率が高い高誘電体、強誘電体用の薄膜気相成長装置を提供する。【解決手段】 基板Wに高誘電体又は強誘電体の薄膜を気相成長させるための薄膜気相成長装置であって、プロセスガス供給手段と、原料ガス供給手段と、基板を保持する保持手段52と基板に原料ガスを噴射する原料ガス噴射ノズル54とを備えた気密な成膜室14と、外部との間で基板の出し入れを行なうためのロードロック室16と、成膜室14、ロードロック室16にそれぞれ開閉弁20,22,24を有する搬送路26,28,30を介して連絡された搬送ロボット室12とを有する。
請求項（抜粋）：
基板に高誘電体又は強誘電体の薄膜を気相成長させるための薄膜気相成長装置であって、プロセスガス供給手段と、原料ガス供給手段と、前記基板を保持する保持手段と該基板に原料ガスを噴射する原料ガス噴射ノズルとを備えた気密な成膜室と、外部との間で基板の出し入れを行なうためのロードロック室と、前記成膜室、ロードロック室にそれぞれ開閉弁を有する搬送路を介して連絡された搬送ロボット室とを有することを特徴とする薄膜気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 C
, C23C 16/44 F
