特許
J-GLOBAL ID：200903008662929154
スイッチング素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-325170
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158769
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】従来の半導体型RFスイッチにおいては、高い周波数帯域において、求められる挿入損失と絶縁性を満足していなかった。また、従来の静電型RFスイッチにおいては、挿入損失は小さいが、機械的なスイッチングに必要な実用的な変位量をうるためには、数10〜100Vの電圧が必要であり、コストアップの問題があった。さらに、従来の圧電型RFスイッチは、低電圧で挿入損失が小さいが、素子の反り量が大きいという問題、および変位量が小さいという課題を有していた。【解決手段】本発明は、圧電素子を用いたRFスイッチにおいて、強誘電体素子を用いたRFスイッチにおいて、前記強誘電体素子が少なくとも二箇所のセグメントに分割され、隣接するセグメントにおける強誘電体素子の自発分極の方向が互いに概略反対方向であることを特徴とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
強誘電体素子を用いたスイッチング素子であって、強誘電体素子と、強誘電体素子に電界を与えるための複数の一対の電極とを含み、前記強誘電体素子が少なくとも二箇所のセグメントに分割され、隣接するセグメントにおける強誘電体素子の自発分極の方向が互いに概略反対方向であることを特徴とするスイッチング素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L41/08 C
, H01L41/08 D
