特許
J-GLOBAL ID：200903008665865939
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255738
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084941
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 ソース・ドレインの不純物拡散層にシリサイドを設けたMIS型FETの静電破壊耐性を改善する。【構成】 一部に高融点金属のシリサイドを有するMIS型FETのソース・ドレインの不純物拡散層4を、コンタクト6とゲート3との間の少なくとも一部に平面方向の幅寸法をゲート幅よりも小さくしたくびれた領域7を設け、このくびれた領域7により不純物拡散層4の層抵抗を大きくし、コンタクト6から侵入されるノイズを減衰し、MIS型FETの破壊を防止する。
請求項（抜粋）：
ソース・ドレインの不純物拡散層の一部に高融点金属のシリサイドを有するMIS型FETを備える半導体装置において、前記ソース・ドレインの不純物拡散層は、コンタクトとゲートとの間の少なくとも一部に平面方向の幅寸法をゲート幅よりも小さくしたくびれた領域を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 X
