特許

J-GLOBAL ID：200903008669775772

磁気メモリ

発明者： 渡辺 克朗 ,  高橋 宏昌
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-173394
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368199
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】低消費電力の磁気メモリを提供する。【解決手段】情報を保持する自由層38と、情報を書き込むために電流を流すワード線231またはビット線251の側部に、ワード線またはビット線に流す電流が発生する磁界を自由層に導くための高抵抗軟磁性層41を設ける。

請求項（抜粋）：

第1および第2の複数の導線が複数の交差領域を形成し、上記複数の交差領域に磁気的に情報を記憶するセルを有し、上記磁気的に情報を記憶するセルが磁気抵抗効果膜を含み、上記第1あるいは第2の導線の少なくとも何れか一方に電流を流すことにより発生する磁界によって、上記磁気抵抗効果膜を構成する1つの層である情報を保持する磁性層の磁化の方向を制御することにより情報の書き込み、読み出しができる磁気メモリにおいて、上記情報を保持する磁性層と情報を書き込むために電流を流す導線の側部に、上記情報を書き込むための電流が発生する磁界を、上記情報を保持する磁性層に導くための高抵抗軟磁性層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60