特許

J-GLOBAL ID：200903008669825680

コバルトシリサイド層のエッチング方法

発明者： シリノ ラピサルダ
出願人/特許権者： コンソルツィオ ペル ラ リセルカ スーラ マイクロエレットロニカ ネル メッツォジオルノ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-246104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139080
出願日： 1995年09月25日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【課題】 小さな形状寸法を規定しうるようにコバルトシリサイド層をエッチングする方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板(12)の上に形成したポリシリコン層(14)の上に重畳され、且つマスク材料(16)によって選択的に覆われたコバルトシリサイド層(15)をエッチングするための方法であって:コバルトシリサイド層(15)を気体塩素流に規定された圧力にてさらし;規定電力を用いることにより気体塩素をイオン化して、コバルトシリサイド層(15)を選択的に除去するためのプラズマを形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板(12)の上に形成したポリシリコン層(14)の上に重畳され、且つマスク材料(16)によって選択的に覆われたコバルトシリサイド層(15)をエッチングする方法において、前記コバルトシリサイド層(15)を気体塩素流に規定された圧力にてさらし、且つ規定の電力を用いることにより前記気体塩素をイオン化して、前記コバルトシリサイド層(15)を選択的に除去するためのプラズマを形成することを特徴とするコバルトシリサイド層のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-096223
  
• 特開昭64-077128