特許
J-GLOBAL ID：200903008671081990
化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300144
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136458
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】この発明は、PN接合近傍における内部発光の均一性を向上し、外部発光が電極において吸収されることなく、発光効率および輝度を向上させる。【構成】P型GaAs基板10の上にP型AlGaAsエピタキシャル成長層11を設け、このP型AlGaAsエピタキシャル成長層11の上にN型AlGaAsエピタキシャル成長層12を設け、このN型AlGaAsエピタキシャル成長層12上の全面に発光波長に対して50%以上の透過率を有するIn2 O3 層からなる上部透明電極16を設け、前記P型GaAs基板10の下に下部透明電極18を設ける。前記N型AlGaAsエピタキシャル成長層12の表面の不純物濃度を1×1019 atoms/cm3 以下としている。従って、PN接合近傍における内部発光の均一性を向上し、外部発光が電極において吸収されることがない。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板の上にエピタキシャル成長により設けられた第1導電型の第1のエピタキシャル成長層と、前記第1のエピタキシャル成長層の上に設けられた第2導電型の第2のエピタキシャル成長層と、前記第2のエピタキシャル成長層の上の全面に設けられた発光波長に対して50%以上の透過率を有する第2導電型の第1の電極と、前記化合物半導体基板の下に設けられた第1導電型の第2の電極とを具備することを特徴とする化合物半導体発光素子。
引用特許：
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