特許

J-GLOBAL ID：200903008672177134

SOI基板の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 鮫島 俊之 ,  冨田 尚 ,  碓井 節夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-104814
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326665
出願日： 1988年04月06日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】 厚さの精度が良く、しかも厚さが一様な単結晶Si膜を有するSOI基板を製造し、それを用いて高性能の半導体装置を製造する。また、ガラス基板や樹脂基板のような耐熱性のない基板を使用することを可能とする。【構成】 C2 H2 などの炭素を含むガス雰囲気中で単結晶Si基板1の表面にパルスレーザービームを選択的に照射してSiC層3a、3b、3cを形成する。次に、ガラス基板4の表面に400°C以下の温度で硬化する接着剤5を塗布しておき、この接着剤5に単結晶Si基板1の表面側を接着する。次に、SiC層3a、3b、3cを研削ストッパーとして用いて、単結晶Si基板1をその裏面側から研削して薄膜化し、単結晶Si膜を形成することにより、SOI基板を製造する。この後、このSOI基板を用いて半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

炭素を含むガス雰囲気中において単結晶シリコン基板の一方の主面にレーザービームを選択的に照射することによりこの照射部における上記単結晶シリコン基板にシリコンカーバイド層を形成する工程と、上記単結晶シリコン基板の上記一方の主面を絶縁体基板の一方の主面と接着する工程と、上記シリコンカーバイド層を研削ストッパとして用いて上記単結晶シリコン基板をその他方の主面側から研削することにより薄膜化する工程とを有することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/762 ,  H01L 27/12