特許

J-GLOBAL ID：200903008673041228

半導体光検出装置およびその製造方法

発明者： 牧内 正男 ,  山本 直樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-223807
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088393
出願日： 1994年09月19日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 フォトダイオードとこれに駆動電流を供給する駆動ダイオードとよりなり、基板上へのフリップチップ法による実装に適した半導体光検出装置において、メタルバンプを介してフォトダイオードの拡散領域に加わる応力を最小化することを目的とする。【構成】 半導体光検出装置を構成する半導体積層構造体上に形成されるメタルバンプのうち、駆動ダイオードに対応するメタルバンプの面積をフォトダイオードに対応するメタルバンプの面積の少なくとも10倍に設定する。

請求項（抜粋）：

基板と;前記基板上に形成された、第1の導電型を有する第1の半導体層と;前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の導電型を有する第2の半導体層と;前記第2の半導体層中に形成され、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する第1の導電領域と;前記第2の半導体層中に、前記第1の導電領域から離間して形成され、前記第1の導電領域よりも実質的に大きい面積を有し、前記第2の導電型を有する第2の導電領域と;前記第2の半導体層上に、前記第1の導電領域に対応して形成され、第1の面積を有する第1のメタルバンプと;前記第2の半導体層上に、前記第2の導電領域に対応して形成され、第2の面積を有する第2のメタルバンプとよりなり、前記第1のメタルバンプと前記第2のメタルバンプとが実質的に同一平面上に形成された構成の半導体光検出装置において;前記第2の面積は、前記第1の面積の10倍以上であることを特徴とする半導体光検出装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 31/10 H ,  H01L 21/92 602 ,  H01L 21/92 604 B