特許

J-GLOBAL ID：200903008676544255

ランタンクロマイト緻密膜の作製方法

発明者： 樋渡 研一 ,  上野 晃 ,  相沢 正信
出願人/特許権者： 東陶機器株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122032
公開番号（公開出願番号）：特開2000-044369
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】ある程度緻密なセラミック基体上に湿式法によって、密着性の良好なランタンクロマイト緻密膜の形成方法を提供する。【解決手段】 ある程度緻密なセラミック基体上に、湿式法でランタンクロマイトの緻密膜を作製する方法において、基体の表面を粗面化処理し、この上にランタンクロマイト膜の成膜を行う。

請求項（抜粋）：

ある程度緻密なセラミック基体上に、湿式法でランタンクロマイトの緻密膜を作製する方法において、基体の表面を粗面化処理し、この上にランタンクロマイト膜の成膜を行うことを特徴とするランタンクロマイト緻密膜の作製方法。

IPC (3件)：

C04B 41/87 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (3件)：

C04B 41/87 A ,  H01M 8/02 Y ,  H01M 8/12