特許

J-GLOBAL ID：200903008676653968

薄膜の選択成長方法

発明者： 榊原 孝久 ,  伊豆 博昭 ,  樽井 久樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260821
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 基板表面の任意の部分に、成長速度を高速化して所望の方向に選択的に、マイクロシステム用微細配線等に用いられる立体的な薄膜を成長させて形成する。【解決手段】 原料ガスの熱分解雰囲気中で基板8の表面に紫外光を照射し、基板8の表面の紫外光照射部分に、紫外光照射方向に成長する薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

原料ガスの熱分解雰囲気中で基板表面に紫外光を照射し、前記基板表面の紫外光照射部分に紫外光照射方向に成長する薄膜を形成することを特徴とする薄膜の選択成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01S 3/00

FI (3件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/285 C ,  H01S 3/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-083892
  
• 特開昭57-067161
  
• 特開平3-083892
  
• 特開昭57-067161