特許
J-GLOBAL ID：200903008676671427
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-103704
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061242
出願日： 1991年03月14日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 ベース引き出し多結晶シリコンと基板とのコンタクト形成に際し、その基板の面方位依存性をなくして、良好な特性をもつバイポーラトランジスタを作製する。【構成】 ベース引き出し電極となるボロン添加多結晶シリコン4とSi基板1とのコンタクトを形成するため、そのベースコンタクト領域を露出させた後、その多結晶シリコン8を形成して窒化膜サイドエッチング部7を埋める。その後、ウォッシング工程においてフッ化アンモニウムと過酸化水素水の混合液を用いて不要な部分の多結晶シリコンを除去し、残ったボロン添加多結晶シリコン9をコンタクトとする。この混合溶液は基板方位依存性を持たないので、KOH系エッチング液で生じる(100)Si基板がV字状に削られる現象はなくなり、Si基板表面に良好なSST構造が形成できる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上のフィールド膜として薄い酸化膜,窒化膜を形成し、その表面に多結晶シリコンを形成したのち、不要な領域を酸化膜にする工程と、ベース引き出し電極となる前記多結晶シリコンにボロンを導入した後、そのエミッタ領域の多結晶シリコンを除去してエミッタ用の溝を形成する工程と、前記ボロン添加多結晶シリコンの表面を酸化後、この酸化膜をマスクに前記窒化膜をサイドエッチングして、該窒下膜下の薄い酸化膜をライトエッチングする工程と、前記ベース引き出し多結晶シリコンと基板とのコンタクトを形成するため、無添加多結晶シリコンを形成後、該多結晶シリコンにボロンを拡散し、その不要な部分の多結晶シリコンをフッ化アンモニウムと過酸化水素水の混合液を用いて除去する工程と、次に薄い酸化膜を形成し、この膜を介してベースイオン注入を行い、ベース領域を形成する工程と、次いで減圧酸化膜,多結晶シリコンを連続的に形成し、これを加工してエミッタ領域の窓明けを行った後、As添加多結晶シリコンを形成しエミッタドライブでエミッタ拡散領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 27/06
H01L 29/72
, H01L 27/06 321 F
