特許

J-GLOBAL ID：200903008680957270

垂直磁化膜、垂直磁化膜用多層膜及び垂直磁化膜の製造法

発明者： 田万里 耕作
出願人/特許権者： 戸田工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345241
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168822
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 耐酸化性や耐食性に優れ、磁気ヘッドの磁気飽和を回避できる適当な保磁力を有しCo及びNiを含有するFeを主体とするスピネル型薄膜からなる垂直磁化膜及び該垂直磁化膜を工業的に得られる製造法を提供する。【構成】 基板上に形成されたCo及びNiを含有しFeを主体とするスピネル型薄膜が基板に平行に優先配向し、その面間隔が2.082Å以下、当該薄膜中のCoがFeに対してモル比で0.005〜0.32、NiがCoに対してモル比で少なくとも0.6であって、当該薄膜の保磁力が3000Oeより小さい垂直磁化膜は、基板上に形成されたCo及びNiの1種を含むか、含まないマグネタイト層とCo及びNiの少なくとも1種を含む酸化物層とからなるCo及びNiを含む多層膜である。当該多層膜の組成等は、垂直磁化膜と同様である。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたCo及びNiを含有するFeを主体とするスピネル型薄膜であり、該薄膜の(400)面が基板に平行に優先配向し、その面間隔が2.082Å以下であって、当該薄膜中のCoがFeに対してモル比で0.005〜0.32、NiがCoに対してモル比で少なくとも0.6であって、当該膜の保磁力が3000Oeより小さいことを特徴とする垂直磁化膜。

IPC (5件)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/85 ,  H01F 10/14 ,  H01F 41/18