特許
J-GLOBAL ID：200903008688963431
バンドパスフィルタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088496
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302471
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 外部の影響を受けにくく、小型化を図る。【構成】 第1のシールド電極保護用誘電体層1a、第1のシールド電極層2a、第1のコンデンサ形成用誘電体層3a、第1のコンデンサ電極層4a、入力コンデンサ形成用誘電体層5、入力コンデンサ電極層6、第1の誘電体層7、インダクタパターン層8、第2の誘電体層9、出力コンデンサ電界層10、出力コンデンサ形成用誘電体層11、第2のコンデンサ電極層4b、第2のコンデンサ形成用誘電体層3b、第2のシールド電極層2a、および第2のシールド電極保護用誘電体層1bを順次厚さ方向に積層することによってバンドパスフィルタを形成する。
請求項（抜粋）：
第1のインダクタと第1のコンデンサが並列接続された第1のLC共振回路と、第2のインダクタと第2のコンデンサが並列接続された第2のLC共振回路とを有し、前記第1および前記第2のLC共振回路が誘導結合または/並びに容量結合によって結合されたバンドパスフィルタに於いて、両側に互いに対向して設けられた第1および第2のシールド電極層と、前記第1および前記第2のシールド電極層の間にそれぞれ前記第1および前記第2のインダクタを構成する第1および第2のインダクタパターンが並設されたインダクタパターン層とをもつ誘電体の積層構造を有し、前記第1のシールド電極層と、該第1のシールド電極層を対向電極として前記第1のコンデンサを構成するように形成された第1のコンデンサ電極と、前記第1のインダクタパターンの一端とを電気的に接続して前記第1のLC共振回路を構成し、前記第2のシールド電極層と、該第2のシールド電極層を対向電極として前記第2のコンデンサを構成するように形成された第2のコンデンサ電極と、前記第2のインダクタパターンの一端とを電気的に接続して前記第2のLC共振回路を構成したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
IPC (4件)：
H01G 4/40 321
, H01F 15/00
, H03H 7/01
, H03H 7/09
