特許
J-GLOBAL ID：200903008700921243
単結晶SiC及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315124
公開番号（公開出願番号）：特開平11-147792
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長に要する熱エネルギーを少なくしながら、マイクロパイプ欠陥および結晶粒界のほとんどない大型かつ高品質の単結晶を効率良く育成できるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基材1の表面に熱CVD法でα-2H-SiC層2を形成して該α-2H-SiC層2の一部をα-6H(または4H)-SiCに相変態させてなる複合体Mを、1600〜2400°Cで熱処理することにより、α-2H-SiC層2の全体をα-SiCに転化させるとともにα-SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させる。
請求項（抜粋）：
α-SiC単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でα-2H-SiC層を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記α-2H-SiC層をα-SiCに転化させ、かつ、上記α-SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶SiC。
IPC (4件)：
C30B 29/36
, C23C 16/26
, C30B 1/02
, H01L 33/00
C30B 29/36 A
, C23C 16/26
, C30B 1/02
, H01L 33/00 A
