スパッタリング用ターゲット及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089131
公開番号（公開出願番号）：特開2003-286565
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】スパッタリング用ターゲット及びその製造方法において、応力歪みによる反りが少なく、ボンディング不良やターゲット割れ等を防ぐこと。【解決手段】柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が、10ppm以下である。

請求項（抜粋）：

柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が、10ppm以下であることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203

FI (2件)：

C23C 14/34 A , H01L 21/203 S

Fターム (7件)：

4K029BA35 , 4K029BC03 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC12 , 5F103AA08 , 5F103BB22

引用特許：

審査官引用 (7件)

ターゲツト材とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-289585 出願人：大同特殊鋼株式会社
プロセスガスを充填可能で真空化可能な加工室内に配置された材料被覆装置陰極のターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-313184 出願人：ライボルトアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭63-235459

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