特許

J-GLOBAL ID：200903008709380032

半導体装置とその製造方法

発明者： 坂森 重則 ,  米田 昌弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-321869
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181204
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 セルフアライメント法を用いたコンタクトホールの形成が容易に実現可能となる半導体装置、及びその製造方法を得る。【構成】 半導体基板上に形成する配線層を覆うようにIVa族元素を含むシリコン酸化膜、若しくはIVa族元素を含むシリコン窒化膜を形成し、配線層間に存在するソース/ドレイン領域等の半導体基板の一主面上の活性領域にコンタクトを形成するためにコンタクトホールエッチングをする際のエッチングストッパーとし、配線層がコンタクトと接すること、若しくは近接した位置に形成されることを抑制できるような構造とする。

請求項（抜粋）：

一主面に活性領域が形成された半導体基板、この半導体基板上に第一の絶縁層を介して形成されたシリコン層、少なくとも上記シリコン層の上面及び側面を覆うように形成された第二の絶縁層、この第二の絶縁層のシリコン層側面部上に形成されたIVa族元素を含む第三の絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。