特許

J-GLOBAL ID：200903008710585446

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小林 清輝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101049
公開番号（公開出願番号）：特開平9-289207
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：

【要約】【課題】 故障が発生しにくく、電子捕獲による負電荷の蓄積が起こりにくい酸化膜を備えた半導体装置を得ることを主要な目的とする。【解決手段】 第1の電極1の上に第1のシリコン酸化膜3aが設けられている。第1のシリコン酸化膜3aの上に、該第1のシリコン酸化膜3aより比重の小さい第2のシリコン酸化膜3bが設けられている。第2のシリコン酸化膜3bの上に第2の電極4が設けられている。第2のシリコン酸化膜3b中において、塩素原子の含量は、水素原子の含量よりも大きくされている。

請求項（抜粋）：

第1の電極と、前記第1の電極の上に設けられた第1のシリコン酸化膜と、前記第1のシリコン酸化膜の上に設けられた、前記第1のシリコン酸化膜より比重の小さい第2のシリコン酸化膜と、前記第2のシリコン酸化膜の上に設けられた第2の電極とを備え、前記第2のシリコン酸化膜中において、塩素原子の含量は、水素原子の含量よりも大きくされている、半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371