特許

J-GLOBAL ID：200903008715848992

イオン注入装置

発明者： 青木 正彦
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110278
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283977
出願日： 1997年04月10日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 大口径イオンビームを大口径ウェファに照射するイオン注入装置において、従来は質量分離せずにウェファに注入していた。それでは不純物も注入されるから、質量分離をする事が望ましい。大口径イオンビームを質量分離してイオン注入できる装置を提供する事が目的である。【解決手段】 直交2方向に広がりをもつ大面積のイオンビームを生成するイオン源1と、湾曲傾斜面を持つ複数の扇形対向磁極M1 、M2 、...、Ms を円弧状に配列した質量分析マグネット2と、試料3を支持する支持機構8よりなり、イオン源1から出た大面積イオンビームを質量分析マグネット2の入口4に入射させ質量分離し出口5から出た直交2方向に試料3以上の広がりをもつ大面積イオンビームを、走査しないで、試料3に照射するようにする。

請求項（抜粋）：

直交2方向に広がりをもつ大面積のイオンビ-ムを生成するイオン源1と、湾曲傾斜面を持つ複数の扇形対向磁極M1 、M2 、...、Ms を円弧状に配列した質量分析マグネット2と、試料3を支持する試料支持機構8よりなり、イオン源1から出た大面積イオンビ-ムを質量分析マグネット2の入口4に入射させ質量分離し出口5から出た直交2方向に試料3以上の広がりをもつ大面積イオンビ-ムを、走査しないで、試料3に照射するようにした事を特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 Z ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265 603 B