薄膜トランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018008
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218432
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタにおいても精密な閾値制御を行い、回路動作上必要なトランジスタ特性を得る。【構成】活性層を挾んでゲート電極に対抗する位置に新たな電極を設け、この電極に電圧を印可することで必要とする閾値電圧にシフトさせる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、ソース・ドレイン電極層、前記ソース・ドレイン電極層を覆い、チャネルを形成する活性層、前記活性層を覆った絶縁層、前記絶縁層上に形成されたゲート電極層を備えた薄膜トランジスタにおいて、前記基板上部で、かつ活性層下部に絶縁体を介して導体を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

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