特許

J-GLOBAL ID：200903008723649427

パワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法

発明者： 宮沢 修
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275566
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 高品質、高性能で安価なパワーモジュール用セラミックス回路基板を提供する。【構成】 パターン化した銅被覆銅-タングステン合金板と、厚さ30〜150μmのアルミナ基板とを積層して酸化雰囲気中、1065〜1085°Cで加熱して接合する。【効果】 超薄型アルミナ基板を用いるため、アルミナ基板による熱伝導性の問題が改善され、系外への熱放散性の高いセラミックス回路基板が提供される。このような超薄型アルミナ基板を回路基板として銅被覆銅-タングステン合金板と酸化加熱接合するため、回路基板とアルミナ基板との熱膨張係数を同等とすることができ、両板間の熱膨張係数の差に起因する割れや剥離の問題は解決される。

請求項（抜粋）：

銅被覆を有するパターン化した銅-タングステン合金板と、厚さ30〜150μmのアルミナ基板とを積層して、酸素雰囲気中、1065〜1085°Cに加熱することにより接合することを特徴とするパワーモジュール用セラミックス回路基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-277543
  
• 特開昭64-059986
  
• 特開昭63-234405
  
• 特開平1-290280