特許

J-GLOBAL ID：200903008725701418

成膜源、成膜方法、および加熱板、ならびに有機EL素子の製造方法

発明者： 高橋 正樹 ,  丹 博樹
出願人/特許権者： 東北パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-180231
公開番号（公開出願番号）：特開2006-002218
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】成膜材料の有効利用が可能であり、かつ、良好な膜質の膜を成膜することが可能な成膜源を提供する。【解決手段】成膜源102は、成膜材料121が内部に充填される成膜材料収容部である坩堝122と、充填された成膜材料121の表面に載置される加熱体である加熱板123とを備える。加熱板123には複数の貫通孔125が所定のパターンで形成されている。また、加熱板123の貫通孔125が形成されていない領域には、ヒータ126が配設されている。成膜時には、ヒータ126によって加熱された加熱板123により、坩堝122内の成膜材料121の表面が加熱され、該表面の成膜材料121が蒸発して蒸着成膜が実施される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

成膜材料を収容する成膜材料収容部と、 前記成膜材料収容部に収容された前記成膜材料の表面に配置されて発熱するとともに、前記成膜材料の表面に連通する貫通孔を有する加熱体と、 を備えたことを特徴とする成膜源。

IPC (3件)：

C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (3件)：

C23C14/24 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (15件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA62 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB12 ,  4K029DB13 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029DB19 ,  4K029HA01 ,  4K029KA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭58-19471号公報