特許
J-GLOBAL ID：200903008728710655
絶縁膜およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310137
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167604
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、フッ素を含む酸化シリコンからなる低誘電率絶縁膜でありながら、膜からのフッ素の離脱、膜中でのフッ化水素を生成を防止し、絶縁膜による金属配線の腐食の防止を図る。【構成】 絶縁膜11は、例えば液相CVD法によって成膜されたもので成膜時に流動性を有する酸化膜12と、その中に均等に分散してなるものでフッ素を含む酸化シリコン粒子13を酸化シリコン膜14で包含した粒子15とからなるものである。その製造方法は、第1工程でフッ素を含む酸化シリコン粒子13の第1前駆体を形成し、第2工程で第1前駆体と活性な酸素とをモノシランガス中に通して第1前駆体を包含した酸化シリコン膜14からなる第2前駆体を形成する。その後第3工程で第2前駆体にモノシランガスと酸素を水に溶解させて気化させたものを混合し、それを反応させて高流動性の酸化膜12を生成して絶縁膜11を形成する。
請求項（抜粋）：
酸化膜と、前記酸化膜中に分散してなるものでフッ素を含む酸化シリコン粒子を酸化シリコン膜で包含した粒子とからなることを特徴とする絶縁膜。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/50
, H01L 21/31
, H01L 21/768
