特許
J-GLOBAL ID：200903008730464424
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194779
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232691
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 基板とクラッド層とが格子不整合を有する半導体レーザに関し、クラッド層に禁制帯幅の大きな、III族元素としてAlを含むIII-V族半導体を用いた1μm帯用半導体レーザを提供することである。【解決手段】 第1の格子定数を有し、主表面を有するIII-V族半導体の基板と、前記主表面上に配置され、前記第1の格子定数と較べ、0.5%以上異なる第2の格子定数を有するIII-V族半導体のクラッド層と、活性層と、活性層の両側に配置され、III族元素としてAlを含み、活性層より屈折率の低い光閉じ込め層とを含み、前記クラッド層上に配置されたIII-V族半導体の光伝搬層と、前記主表面と前記クラッド層との間に配置され、前記第1の格子定数と前記第2の格子定数の間で徐々に格子定数が変化する組成勾配層を含み、表面にクロスハッチ状の段差を有するIII-V族半導体の格子緩和層と、前記格子緩和層と前記クラッド層との間に配置され、V族元素として燐を含むIII-V族半導体の中間層とを有する半導体レーザを提供する。
請求項（抜粋）：
第1の格子定数を有し、主表面を有するIII-V族半導体の基板と、前記主表面上に配置され、前記第1の格子定数と較べ、0.5%以上異なる第2の格子定数を有するIII-V族半導体のクラッド層と、活性層と、活性層の両側に配置され、III族元素としてAlを含み、活性層より屈折率の低い光閉じ込め層とを含み、前記クラッド層上に配置されたIII-V族半導体の光伝搬層と、前記主表面と前記クラッド層との間に配置され、前記第1の格子定数と前記第2の格子定数の間で徐々に格子定数が変化する組成勾配層を含み、表面にクロスハッチ状の段差を有するIII-V族半導体の格子緩和層と、前記格子緩和層と前記クラッド層との間に配置され、V族元素として燐を含むIII-V族半導体の中間層とを有する半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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