特許
J-GLOBAL ID：200903008732512264
薄膜冷陰極及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257650
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076986
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板と薄膜電極との間の酸化膜の絶縁耐圧特性を向上させた薄膜冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る薄膜冷陰極は、固体内で加速されたホットエレクトロンを利用して、真空中に電子を放射するものである。この薄膜冷陰極は、Si基板1と、該Si基板1上に熱酸化により形成され、ゲッタリング処理が施されたトンネル酸化膜2aと、該酸化膜2a上に形成された薄膜電極3と、を具備するものである。上記ゲッタリング処理はハロゲン含有酸化処理である。即ち、例えば塩化水素HClのようなハロゲン含有ガスを添加した酸素O2 を供給してSi基板1上の熱酸化を行うものである。これにより、酸化膜の絶縁耐圧特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
固体内で加速されたホットエレクトロンを利用して、真空中に電子を放射する薄膜冷陰極であって;半導体基板と、該半導体基板上に熱酸化により形成され、ゲッタリング処理が施された酸化膜と、該酸化膜上に形成された電極と、を具備することを特徴とする薄膜冷陰極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 M
, H01J 9/02 M
