特許

J-GLOBAL ID：200903008734280891

半導体リレー

発明者： 仲矢 実
出願人/特許権者： 横河電機株式会社
代理人 (1件)： 小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-035946
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029908
出願日： 1991年03月01日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】半導体リレーに関し、その目的は、フォトカプラのカップリング評価方法を工夫することにより外部端子の数を4本にしてパッケージサイズを小型にすることにある。【構成】発光ダイオードとフォトダイオードアレイよりなるフォトカプラと、ソース(ドレイン)が互いに接続されるとともに該接続点には前記フォトダイオードアレイのカソードが接続され各ゲートには前記フォトダイオードアレイのアノードが接続された2個のFETと、前記発光ダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された第1,第2の外部端子と、前記2個のFETの各ドレイン(ソース)にそれぞれ接続された第3,第4の外部端子とで構成する。

請求項（抜粋）：

発光ダイオードとフォトダイオードアレイよりなるフォトカプラと、ソース(ドレイン)が互いに接続されるとともに該接続点には前記フォトダイオードアレイのカソードが接続され、各ゲートには前記フォトダイオードアレイのアノードが接続された2個のFETと、前記発光ダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された第1,第2の外部端子と、前記2個のFETの各ドレイン(ソース)にそれぞれ接続された第3,第4の外部端子、とで構成されたことを特徴とする半導体リレー。

IPC (2件)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/12