特許

J-GLOBAL ID：200903008742527332

半導体集積回路装置

発明者： 久保埜 昌次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-412110
公開番号（公開出願番号）：特開平6-325568
出願日： 1990年12月19日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 比較的広範囲の電源電圧に対して安定した基準電圧を得ることのできる基準電圧発生回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【構成】 ゲートとソース間に定電圧を受けて定電流を形成する第1のMOSFETと同じ構造のMOSFETを用い、それに上記定電流を流すとともにダイオード形態にして1ないし複数個を直接接続し、これら1ないし複数の直列MOSFETにおけるゲート,ソース間電圧を出力基準電圧として用いる。【効果】 上記1ないし複数個の直列MOSFETのそれぞれのゲート,ソース間電圧は、上記定電流を形成する第1のMOSFETのゲート,ソース間に供給される定電圧と等しくなるからそれと同じか整数倍された出力基準電圧を得ることができる。

請求項（抜粋）：

ゲートとソース間に定電圧を受けて定電流を形成する第1のMOSFETと、上記第1のMOSFETと同じ構造のMOSFETであって上記定電流を流すようにされたダイオード形態の1ないし複数の直列MOSFETとを含み、上記1ないし複数の直列MOSFETによるゲート,ソース間電圧を出力基準電圧とする基準電圧発生回路を備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。