特許

J-GLOBAL ID：200903008750297125

半導体装置およびその製造方法

発明者： 永井 享浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215400
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033387
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】 下側プラグを大きくする必要がなく、また、上側コンタクトホールをより大きな径にすることができる、半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板1と、その上側に形成された下側層間膜6と、その上側に形成された中間膜11と、その上側に形成された上側層間膜9aと、下側層間膜6および中間膜11を貫通する導電性材料からなる下側プラグ8とを備える。ただし、中間膜11の材質は、上側コンタクトホール10aの形成のためのエッチングの条件下で、上側層間膜9aに対して有するエッチング速度の比が、中間膜11をストッパとして上側層間膜9aに対して上側コンタクトホール10aのエッチングによる加工を行なえる程度に小さい材質である。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上側に形成された下側層間膜と、前記下側層間膜の上側に形成された中間膜と、前記中間膜の上側に形成された上側層間膜と、前記下側層間膜および前記中間膜を貫通する導電性材料からなる下側プラグとを備え、前記上側層間膜には前記下側プラグに電気的に接続するための上側コンタクトホールを有し、前記中間膜の材質は、前記上側コンタクトホールの形成のためのエッチングの条件下で、前記上側層間膜に対して有するエッチング速度の比が、前記中間膜をストッパとして前記上側層間膜に対して前記上側コンタクトホールのエッチングによる加工を行なえる程度に小さい材質である、半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 D

Fターム (23件)：

5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033NN32 ,  5F033NN40 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR14 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033XX09 ,  5F033XX15 ,  5F033XX31