特許
J-GLOBAL ID：200903008759720489
微細窪みへの液充填方法及び装置、及び微細窪みへのメッキ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252825
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087275
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 微細な窪みの内部にメッキ液等の各種液体を充填することができる微細窪みへの液充填方法及び装置、及び微細窪みへのメッキ方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ100の微細な窪み101を設けた部分の周囲の空間を覆うメッキ処理槽1と、メッキ処理槽1内にメッキ液のミストを導入して微細な窪み101内を濡れた状態とせしめるミスト供給手段41と、メッキ処理槽1内にメッキ液を供給することによって半導体ウエハ100の濡れた状態の微細な窪み101内をメッキ液で満たす液体供給手段7とを具備する。微細な窪み101はその内表面がミストで十分濡れた状態となった後に、メッキ液が供給されるのでメッキ液が瞬時に充満する。
請求項（抜粋）：
基材表面に設けた微細な窪み内部に所望の液体を充填する微細窪みへの液充填方法において、少なくとも前記基材の微細な窪みを設けた部分の表面に所望のミストを触れさせることによって該微細な窪みの内面にミストを吸着せしめて濡れた状態とし、さらに該基材の微細な窪みを設けた部分の表面に所望の液体を触れさせることによって前記濡れた状態の微細な窪み内を所望の液体で満たすことを特徴とする微細窪みへの液充填方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/288 E
, C23C 18/31 A
