特許
J-GLOBAL ID：200903008761520969
シリコン半導体基板の熱処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池条 重信 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330387
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134521
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 Grown-in欠陥を除去するための熱処理による高品質デバイス活性領域を維持したまま、熱処理時のウェーハの載置具などとの接触面のダメージあるいは転位を低減することを可能にしたシリコン半導体基板の熱処理方法。【解決手段】 載置具などとの接触面に生成したダメージや転位をエッチングあるいは切削、研磨することにより、ダメージや転位を低減でき、後工程で急速昇温、降温処理した際にデバイス活性層面側に転位を成長させない。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板を基板支持治具に載置又は積層載置して熱処理するシリコン半導体基板の熱処理方法において、熱処理後に被処理基板の表層を除去する除去工程を施し、後の他熱処理工程で少なくともデバイス活性層面側に転位を成長させないシリコン半導体基板の熱処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/324 X
, H01L 21/324 W
