特許

J-GLOBAL ID：200903008765776828

静電誘導半導体装置の製造方法

発明者： 富井 和志
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313756
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163933
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 掘り込みゲート構造が不要でゲート領域を基板の深い位置に形成出来、ソース領域の有効面積も大きい静電誘導半導体装置が製造できる方法を提供する。【構成】 この発明は、静電誘導半導体装置のゲート領域およびソース領域を形成するにあたり、ゲート領域用不純物導入のための窓4が明いているとともにソース領域用不純物をドープした不純物ドープ膜2にゲート領域用不純物侵入阻止用膜3を積層してなるマスク5を設け、ゲート領域の下部側6を形成し、その後、窓の縁にサイドウォールを形成してからゲート領域の上部側を形成するとともに、ゲート領域形成時の熱処理により不純物ドープ膜中のソース領域用不純物を表面部分に導入しソース領域を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一側の表面部分にソース領域とゲート領域をゲート領域がソース領域の近傍に位置するようにして備え、前記ソース領域を通って流れる電流が前記ゲート領域に加える電圧によって制御されるようになっている静電誘導半導体装置の製造方法であって、前記ゲート領域およびソース領域を半導体基板の一側の表面部分に不純物を導入して形成するにあたり、ゲート領域用不純物導入のための窓が明いているとともにソース領域用不純物をドープした不純物ドープ膜にゲート領域用不純物侵入阻止用膜を積層してなるマスクを前記半導体基板の一側の表面に設け、前記窓よりゲート領域用不純物を深い位置にイオン注入して熱処理し拡散させることによりゲート領域の下部側を形成し、その後、前記窓の縁にサイドウォールを形成してからゲート領域用不純物を浅い位置にイオン注入して熱処理することによりゲート領域の上部側を形成するとともに、前記両熱処理により前記不純物ドープ膜中のソース領域用不純物を表面部分に導入しソース領域を形成することを特徴とする静電誘導半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/804 ,  H01L 21/266 ,  H01L 29/74

FI (2件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 21/265 M