特許

J-GLOBAL ID：200903008766373387

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者： 小崎 徳也
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-017980
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196700
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体を基板とした場合、この基板上にデバイス構造を形成してなる素子の実用化に際しての信頼性をより向上させるために、寿命特性のさらなる向上と、量産する際の歩留まりの向上が可能となるような窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に、本発明の窒化物半導体の成長方法により得られる窒化物半導体を基板とし、寿命特性など素子特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 窒化物半導体基板1上に、Al<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)で示される緩和層3を形成し、その上に、Al<SB>e</SB>Ga<SB>1-e</SB>N(0≦e<1)で示される第1の窒化物半導体層4を形成した後、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、第2の窒化物半導体層5を成長させる。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板上に、AlaGa1-aN(0≦a≦1)で示される1層以上の窒化物半導体層を形成した後、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、更に窒化物半導体層を成長させる第1の工程を有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (39件)：

5F041AA41 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F045AB09 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045CB04 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DB04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28