特許

J-GLOBAL ID：200903008771107814

強誘電体材料、キャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法

発明者： 広中 克行 ,  田中 均洋 ,  香取 健二 ,  池田 祐司 ,  磯辺 千春
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006132
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204744
出願日： 1998年01月14日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流を低く抑えることにより、ショートによるキャパシタの破壊を低減することができる強誘電体材料、それを用いたキャパシタおよびメモリならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 基板11の上に接合層12を介して下部電極13,強誘電体膜14および上部電極15を順次積層する。強誘電体膜14はSrx Biy (Ta(1-u) Nbu )2 Tiz O9 ±d (但し、0.6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦u≦1.0,0.1≦z≦1.0,0≦d≦1.0)により構成する。Tiを少量含むことにより印加電圧によるリーク電流の増加が抑制され、ショートの発生が低減されると共に温度特性が向上する。誘電分極特性およびファティーグ特性も高く保持できる。

請求項（抜粋）：

ストロンチウム(Sr)と、ビスマス(Bi)と、タンタル(Ta)およびニオブ(Nb)のうちの少なくとも1種と、チタン(Ti)と、酸素(O)とからなり、かつ組成式がSrx Biy (Ta(1-u) Nbu )2 Tiz O9 ±d (但し、0.6≦x≦1.2,1.7≦y≦2.5,0≦u≦1.0,0.1≦z≦1.0,0≦d≦1.0)で表される層状結晶構造酸化物を含むことを特徴とする強誘電体材料。

IPC (10件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/22 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 N ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371