特許

J-GLOBAL ID：200903008774241996

多結晶シリコン薄膜の形成方法

発明者： 小黒 志津夫 ,  獅子口 清一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-293530
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299348
出願日： 1992年10月30日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 結晶粒径が大きく、結晶粒内欠陥が少ない電気特性の優れた多結晶シリコン薄膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 アモルファスシリコン薄膜3を熱処理により結晶化させて多結晶シリコン薄膜4を形成する場合に、熱処理を2段階処理とし、第1の熱処理の温度を650°C以下、第2の熱処理の温度を700°C以上とする。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン薄膜を熱処理により結晶化させて多結晶シリコン薄膜を形成する方法において、前記熱処理は650°C以下の温度で熱処理する第1の熱処理工程と、700°C以上の温度で熱処理する第2の熱処理工程とに分かれていることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-042112
  
• 特開平4-078172
  
• 特開昭62-287614
  
• 特開昭62-287615