特許

J-GLOBAL ID：200903008777856452

化合物半導体結晶及び化合物半導体デバイス

発明者： 栗原 香 ,  下山 謙司
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-130265
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165608
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】ドーピングプロファイルを高精度で制御することによって、発光効率や高速変調特性に優れた半導体レーザや、電流増倍率や高速変調特性に優れた化合物半導体デバイスを得ること。【解決手段】Al、InおよびAsを含む化合物半導体結晶であって、該化合物半導体結晶中の炭素濃度が1×1016cm-3以上であり、酸素濃度が1×1018cm-3以下で且つ前記炭素濃度以下であることを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

III族の主要な構成元素としてAlおよびInを含む化合物半導体結晶であって、該化合物半導体結晶中の炭素濃度が1×1016cm-3以上であり、酸素濃度が1×1018cm-3以下で且つ前記炭素濃度以下であることを特徴とする化合物半導体結晶。

IPC (1件)：

H01S5/343

FI (1件)：

H01S5/343

Fターム (15件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA46 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA14 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29