特許

J-GLOBAL ID：200903008781497084

半導体発光素子の製造方法

発明者： 和田 浩 ,  小川 洋 ,  荒平 慎 ,  中島 徹人
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-240565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090061
出願日： 1992年09月09日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 InP/InGaAsPあるいはGaAs/AlGaAs等からなる良質な半導体発光素子用ダブルヘテロ構造を、Si等の格子定数の異なる異種半導体基板上に直接接着することにより、オプトエレクトロニクス集積回路に適した半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 p型InP基板上にダブルヘテロ構造の結晶成長を行う工程と、この結晶成長された基板のn型InGaAs保護層のエッチング及び接着面の洗浄処理を行う工程と、前記p型InP基板とは格子定数の異なったn型Si基板の表面洗浄処理を行う工程と、前記p型InP基板の接着表面と前記n型Si基板の表面とを直接接着する工程と、熱処理を行う工程と、電流狭窄と光の閉じ込め機能を持つレーザ構造を形成する工程とを施す。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に格子整合したダブルヘテロ構造の結晶成長を行う工程と、(b)該結晶成長が行われた半導体基板の表面洗浄処理を行う工程と、(c)前記半導体基板とは格子定数の異なった異種半導体基板の表面洗浄処理を行う工程と、(d)前記半導体基板の表面と前記異種半導体基板の表面とを直接接着する工程と、(e)熱処理を行う工程と、(f)電流狭窄と光の閉じ込め機能を持つレーザ構造を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。